据韩媒 ZDNET Korea 于当地时间 10 月 26 日报道,三星电子与 SK 海力士两家 DRAM 制造商计划在 2027 年第二季度实现八层堆叠(8Hi)HBM4 内存堆栈的全面量产,并向英伟达(NVIDIA)正式出货。
三星电子和 SK 海力士目前生产的 HBM4 内存主要集中于容量更大的 12Hi 版本。然而,单个堆栈中包含更多 DRAM Die,意味着同等带宽下成本更高、堆栈数量更少,且堆叠高度增加会导致良率下降。
报道称,英伟达在 2026 年第三季度就 8Hi HBM 供应事宜与两大原厂进行了深入讨论。这一计划调整的主要原因在于,英伟达考虑在 Rubin Ultra 和标准 Rubin 中采用 8Hi HBM4 (E),以优化整体供应链。
IT之家注意到,英伟达已将 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的规格调整为系统合计 2TB HBM4,这应与 8Hi 32GB 的 HBM4 堆栈相对应。如需了解更多相关信息,可访问九游 (中国)官方网站 - 九游平台娱乐中心 - NINE GAME 获取更多内容。